本实用新型属于电路保护技术领域，涉及一种保护电路，具体是一种自锁保护电路。

背景技术：

随着电子技术的发展，电子器件应用于各行各业，面对各种严酷的工作环境，对电路的保护尤为重要。如果电子器件在工作中出现问题，而没有保护电路工作，就会造成电子器件寿命安全性降低，或直接损坏烧毁，造成难以估计的损失。因而为了保证电子器件的安全性和可靠性，一种有效的保护电路是非常重要的。

由于各种复杂的使用环境，电子器件在使用过程中难免会碰到严酷的超过器件本身额定的工作条件，或是人为操作失误，而这种情况下可能瞬间就会对电子器件产生损害，人工无法在很短时间内对电子器件进行断电保护。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种自锁保护电路，可以在电路发生故障需要断开总电源时，实现断开电源后保持自锁，直到故障解决，电路重新上下电后，重新恢复到工作状态。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

一种自锁保护电路，包括电源VCC、MOS管Q1和三个三极管Q2、Q3、Q4，所述电源VCC连接MOS管Q1的漏级，所述MOS管Q1的源级连接用电器；

所述电源VCC与MOS管Q1的漏级之间具有结点M1，所述结点M1通过电阻R1连接MOS管Q1的栅极；

所述电阻R1与MOS管Q1的栅极之间具有结点M2，所述结点M2连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射级接地；

所述电阻R1与结点M1之间具有结点M3，所述结点M3连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的发射极通过电阻R2接地；

所述三极管Q3的发射极与电阻R2之间具有结点M4，所述结点M4分别连接三极管Q2的基级和三极管Q4的基级；

所述电源VCC与结点M1之间具有结点M5，所述结点M5通过电阻R3连接三极管Q4的发射极，所述三极管Q4的集电极接地；

所述三极管Q4的发射极与电阻R3之间具有结点M6，所述结点M6连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管Q3的基级；

所述二极管D1的负极与三极管Q3的基极之间具有结点M7，所述结点M7连接反馈控制端。

进一步地，所述反馈控制端采用MCU单片机、过压保护电路、过流保护电路或过温保护电路。

进一步地，所述MOS管Q1采用N型MOS管。

进一步地，所述三极管Q2、Q3均采用NPN型三极管，所述三极管Q4采用PNP型三极管。

本实用新型的有益效果：本实用新型提供的自锁保护电路，通过控制MOS管给用电器供电，通过反馈控制端给入反馈控制信号控制MOS管的通断，实现切断用电器电源，通过三个三极管的开关效应形成环路控制实现自锁保护功能，保持用电器断路状态，避免电路在问题未解决时反复重启问题，同时在解决电路问题后重新上下电后，正常给用电器供电，大大提高了电路的安全性，有效保证了用电器电路板寿命和可靠性，保证用电器的安全，成本低，适用于各种电子产品的保护电路搭配，大大降低了电子器件损坏的风险，有效保证了电子产品的品质、安全性和可靠性。

附图说明

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述。

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型提供了一种自锁保护电路，包括电源VCC、连接电源VCC和用电器的MOS管Q1以及用于环路自锁控制的三个三极管Q2、Q3、Q4。

其中，MOS管Q1采用N型MOS管
，具有栅极、源级和漏级三个接点。三极管Q2、Q3、Q4均具有基极、集电极和发射级三个接点，其中，三极管Q2、Q3均采用NPN型三极管，三极管Q4采用PNP型三极管。

电源VCC连接MOS管Q1的漏级D，MOS管Q1的源级S连接用电器，作为用电器的电源输入；电源VCC与MOS管Q1的漏级D之间具有结点M1，结点M1通过电阻R1连接MOS管Q1的栅极G。

电阻R1与MOS管Q1的栅极G之间具有结点M2，结点M2连接三极管Q2的集电极C2，三极管Q2的发射级E2接地。

电阻R1与结点M1之间具有结点M3，结点M3连接三极管Q3的集电极C3，三极管Q3的发射极E3通过电阻R2接地。

三极管Q3的发射极E3与电阻R2之间具有结点M4，结点M4分别连接三极管Q2的基级B2和三极管Q4的基级B4。

电源VCC与结点M1之间具有结点M5，结点M5通过电阻R3连接三极管Q4的发射极E4，三极管Q4的集电极C4接地。

三极管Q4的发射极E4与电阻R3之间具有结点M6，结点M6连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接三极管Q3的基级B3。

二极管D1的负极与三极管Q3的基极B3之间具有结点M7，结点M7连接反馈控制端。反馈控制端采用MCU单片机、过压保护电路、过流保护电路或过温保护电路等，当检测到用电器出现过压、过流或过温等故障时，输出反馈控制信号(高电平信号)到结点M7。

本实用新型工作原理：

系统上电后，MOS管Q1导通，用电器正常工作；当反馈控制端检测到用电器出现过压、过流或过温等故障时，输出高电平信号到结点M7，此时三极管Q3导通，结点M4的电平被拉高，进而三极管Q2导通，结点M2的电平被拉低，使得MOS管Q1断开，用电器断电；同时，因结点M4的电平被拉高，导致三极管Q4断开，从而保证结点M7电压被锁定在高电平状态，即MOS管Q1被锁定在断开状态，直到系统断电重启后恢复正常导通状态。

本实用新型提供的自锁保护电路，通过控制MOS管给用电器供电，通过反馈控制端给入反馈控制信号控制MOS管的通断，实现切断用电器电源，通过三个三极管的开关效应形成环路控制实现自锁保护功能，保持用电器断路状态，避免电路在问题未解决时反复重启问题，同时在解决电路问题后重新上下电后，正常给用电器供电，大大提高了电路的安全性，有效保证了用电器电路板寿命和可靠性，保证用电器的安全，成本低，适用于各种电子产品的保护电路搭配，大大降低了电子器件损坏的风险，有效保证了电子产品的品质、安全性和可靠性。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上内容仅仅是对本实用新型结构所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离实用新型的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。

技术特征：
1.一种自锁保护电路，其特征在于：包括电源VCC、MOS管Q1和三个三极管Q2、Q3、Q4，所述电源VCC连接MOS管Q1的漏级，所述MOS管Q1的源级连接用电器；

所述电源VCC与MOS管Q1的漏级之间具有结点M1，所述结点M1通过电阻R1连接MOS管Q1的栅极；

所述电阻R1与MOS管Q1的栅极之间具有结点M2，所述结点M2连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射级接地；

所述电阻R1与结点M1之间具有结点M3，所述结点M3连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的发射极通过电阻R2接地；

所述三极管Q3的发射极与电阻R2之间具有结点M4，所述结点M4分别连接三极管Q2的基级和三极管Q4的基级；

所述电源VCC与结点M1之间具有结点M5，所述结点M5通过电阻R3连接三极管Q4的发射极，所述三极管Q4的集电极接地；

所述三极管Q4的发射极与电阻R3之间具有结点M6，所述结点M6连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管Q3的基级；

所述二极管D1的负极与三极管Q3的基极之间具有结点M7，所述结点M7连接反馈控制端。

2.根据权利要求1所述的一种自锁保护电路，其特征在于：所述反馈控制端采用MCU单片机、过压保护电路、过流保护电路或过温保护电路。

3.根据权利要求1所述的一种自锁保护电路，其特征在于：所述MOS管
Q1采用N型MOS管。

4.根据权利要求1所述的一种自锁保护电路，其特征在于：所述三极管Q2、Q3均采用NPN型三极管，所述三极管Q4采用PNP型三极管。

技术总结
本实用新型公开了一种自锁保护电路，通过控制MOS管给用电器供电，通过反馈控制端给入反馈控制信号控制MOS管的通断，实现切断用电器电源，通过三个三极管的开关效应形成环路控制实现自锁保护功能，保持用电器断路状态，避免电路在问题未解决时反复重启问题，同时在解决电路问题后重新上下电后，正常给用电器供电，大大提高了电路的安全性，有效保证了用电器电路板寿命和可靠性，保证用电器的安全，成本低，适用于各种电子产品的保护电路搭配，大大降低了电子器件损坏的风险，有效保证了电子产品的品质、安全性和可靠性。