第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。我们先来看看不同技术的功率器件的区别，下图可以看到传统的Si基的IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术趋于成熟，因为其高速，高耐压，抗高温，体积小，低功耗被越来越多的应用在电源转换产品上，从性能区别于传统Si基的功率器件却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试工具提出非常严苛的挑战。

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目前很多工程师在桥式电路设计中都是以低压侧开关特性来评价器件及设计驱动电路，因为有“接地”参考，似乎只要带宽满足，电压范围满足就可以了，但是事实上很多人忽略了其实高压侧和低压侧在驱动和特性本身并不是相同的，不能通过下管测试推算上管测试，但是为什么工程师不真正来测试高压侧Vgs呢？主要是因为目前没有合适的探头和方法能测试准确高压侧驱动信号，它会受到带宽限制，共模抑制比的限制，信号干扰等影响，所以只能推测或者仿真等方式来预估，很大程度上增加了产品的设计的不确定性，甚至存在很大安全隐患。

泰克作为测试仪器及方案的提供商，既然传统的测试工具不能解决工程师的问题，就开发了新的技术，打造全新的IsoVu光隔离探头来完成相关的测试挑战。真实呈现工程师想了解的驱动波形，不用再依赖经验或者猜测。点击原文了解更多：https://mp.weixin.qq.com/s/h2Yri029obRkU5EK7ZNZ4g

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发现非隔离探头隐藏的快速震荡的信号。IsoVu™探头技术实际上通过光学隔离消除了共模干扰。这样就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基准电压上提供精确的差分测量。借助我们的 IsoVu Generation2 设计，您能获得 IsoVu 技术的所有优势，但大小仅为原来探头尺寸的 1/5。IsoVu Gen 2 探头凭借多功能 MMCX 连接器以及无与伦比的带宽、动态范围和共模抑制组合，为隔离探头技术设定新的标准。停止猜测，将Vgs真实呈现！